Проекты

Целями проекта являются: 1.1. Разработка полупроводниковых фоточувствительных материалов и лабораторной технологии их получения для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров гражданского назначения с повышенной рабочей температурой не менее чем в 1,3 раза и/или сниженным энергопотреблением не менее чем в 2 раза и/или уменьшенными габаритами и весом не менее чем в 2 раза; 1.2. Разработка полупроводниковых материалов, фоточувствительных в спектральных областях 2.5-3.5; 2.5-4.5; 2.5-5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из твердых растворов арсенида индия и лабораторной технологии их получения; 1.3 Разработка одноэлементных и многоэлементных приемников фоточувствительных в спектральных областях 2.5-3.5; 2.5-4.5; 2.5-5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из твердых растворов арсенида индия, работающих в интервале температур 150-350 К, обладающих параметрами чувствительности, многократно превышающими существующий мировой уровень, и лабораторной технологии их получения. "

 

Разработка инфракрасных датчиков (3-5 мкм) на основе свето- и фотодиодов для газового анализа и низкотемпературной пирометрии”. “ЭКСПОРТ-2013”

Целями проекта являются "Разработка инфракрасных датчиков (3-5 мкм) на основе свето- и фотодиодов c возможностью самокалибровки и ультранизким энергопотреблением для газового анализа и низкотемпературной пирометрии"

 

“Создание миниатюрного газового сенсора”. 7-ая рамочная программа ЕС

Работа проводилась с 1 апреля 2008 года по 30 сентября 2012 года силами консорциума, состоящего из 8-ми участников: Valtion teknillinen tutkimuskeskus (VTT-Технический Исследовательский Центр Финляндии, координатор), Gasera Oy (Finland), University of Turku (Finland). QinetiQ (U.K.), ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН ( Россия), Selex (Italy), Doble (Norway), Drager (Germany).
Задача проекта состояла в создании портативного высокочувствительного газового сенсора, основанного на использовании оптико-акустического эффекта, возникающего при зондировании газа излучением инфракрасного светодиода, твердотельного микрофона, интерференционной системы считывания, соединенных воедино с помощью новейших методов интеграции.
В рамках проекта были созданы и испытаны высокоэффективные микрофоны кантилеверного типа, система интерференционного считывания, позволяющая измерять отклонения кантилевера, соответствующие расстоянию 0.001 нм, а также светодиоды среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs(Sb), излучающие на длинах волн 3.4 мкм и 4.3 мкм, обеспечивающие эффективный ввод оптической мощности в оптико-акустическую ячейку дифференциального типа. Последнее обеспечивалось за счет создания светодиодов в конструкции флип-чип с применением микроиммерсионной оптики и фотонных кристаллов на светоизлучающей поверхности.
Испытания светодиодов в составе оптико-акустического сенсора позволили достичь низких пределов обнаружения многих газов (на уровне нескольких миллионных объемных долей (ppm) за время измерения 1 с) при небольших размерах и стоимости сенсора, что создает перспективы для использования результатов проекта при разработке высокочувствительных и малогабаритных («hand-held») анализаторов углекислого газа, метана и др. важных газов.
По результатам работы опубликовано 15 статей и представлено 7 докладов на конференциях.

ссылка

“Создание иммерсионных "флип-чип" фотодиодов для средней ИК области спектра (3-5 мкм)”. “СТАРТ 06”

Целью проекта являлось создание нового поколения фотодиодов для среднего ИК диапазона (3-5.5 мкм) на основе InAs и его твердых растворов, работающих при комнатной и повышенных температурах. Характерными особенностями разрабатываемых приборов являлись “флип-чип” конструкция и иммерсионное сопряжение с линзой с помощью халькогенидного стекла с большим показателем преломления.

 

“Разработка технологии и создание многоэлементных излучателей повышенной яркости, работающих в средней ИК области спектра”. SBIR 2005 г.;

Целью проекта являлась оптимизация коэффициента преобразования и обратных токов в двойных гетероструктурах InAs/InAsSbP. Что включало разработку процесса двухстороннего травления на стадии фотолитографии и получение чипов светодиодов с глубокими мезами (> 30 мкм). В проекте проводились испытания светодиодов на надежность и работоспособность. В результате выполнения проекта были созданы диодные источники ИК излучения (с максимумом в области 3.4 мкм), имеющих максимальную яркость (согласно данным открытой печати) – эквивалентную яркости черного тела, разогретого до температуры 1250 К.

 

“Разработка пленочных структур для люминесцентных диодов среднего инфракрасного диапазона
(3-5 мкм)”. “СТАРТ 05”

Целями проекта являлись разработка и создание производства дешевых и эффективных источников излучения в средней ИК-области (3-5 мкм) на основе полупроводниковых структур с оптическим возбуждением активного слоя («люминофора») внешним источником. Особенностью предлагаемой конструкции являлось то, что составные части источника - узкозонная (активная) и широкозонная (инжектирующая) части прибора - не составляют единой монокристаллической структуры, а связаны между собой с помощью оптического клея, и поэтому могут быть изготовлены (приобретены) независимо друг от друга.

ссылка