История компании

Персоналии

Публикации о компании

Выставочная деятельность

История Компании

ООО «ИоффеЛЕД» - малое инновационное предприятие, основанное в 2005 году при поддержке Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН и с целью проведения прикладных научных исследований и коммерциализации результатов НИОКР.

Ключевые сотрудники компании на протяжении более чем 10 лет совместно проработали в Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе по теме исследования оптических свойств полупроводников А3В5 и создания источников и приемников излучения на их основе. Коллективом предложены и реализованы оригинальные методы выращивания эпитаксиальных слоев In(Ga)AsSbP и гетероструктур на их основе, а также методы постростовой обработки, которые привели к новым научным и научно-практическим результатам:

1. Впервые созданы полупроводниковые лазеры, излучающие на длине волны 3.0-3.6 мкм, которые до сих пор остаются самыми мощными средневолновыми (длина волны 3.3 мкм) полупроводниковыми лазерами, изготовленными в России и обеспечивают наибольший диапазон одномодовой генерации и токовой перестройки длины волны.

2. Получена наиболее длинноволновая люминесценция в материалах А3В5: длина волны 6-9 мкм, 300 К;

3. Впервые созданы флип-чип светодиоды с длиной волны 3.3 мкм, обладающие рекордными значениями яркостной температуры (1148 К в импульсном режиме и 862 К в непрерывном режиме);

4. Впервые создано семейство флип-чип фотодиодов с длиной волны в максимуме спектральной чувствительности от 2.8 до 5.5 мкм, с возможностью иммерсионной стыковки с внешними оптическими элементами (линзами, оптическими волокнами), работающими в широком интервале температур (до 500 К);

5. Впервые экспериментально подтвержден эффект термоэлектрического возбуждения при комнатной температуре в средневолновых ИК светодиодах;

6. Созданы экспериментальные образцы одно- и многоэлементных фотодиодов с рекордно низкими значениями темновых токов и рекордно высокими значениями обнаружительной способности на основе двойных гетероструктур с максимумом чувствительности 3-3.4 мкм;

Коллектив компании был победителем ряда конкурсов и реализовывал проекты в рамках программам СТАРТ-05, SBIR 2005, СТАРТ-06, 7-ая рамочная программа ЕС, “ЭКСПОРТ-2013”, ФЦП (ID: RFMEFI57614X0057). В частности:

В рамках СТАРТ-05 было разработано и запущено в производство семейство иммерсионных светодиодов, излучающими на длинах волн: 2.8, 3.0, 3.4, 3.6, 3.8, 4.2, 4.7, 5.3, 5.5, 7.0 мкм;

В качестве соисполнителя в рамках программы SBIR 2005 г. были разработаны и запущены в мелкосерийное производство 4-х элементные линейки свето- и фотодиодов, с максимумом спектра излучения/чувствительности на длине волны 3.6 мкм;

В рамках программы СТАРТ-06 было разработано и запущено в производство семейство иммерсионных фотоприемников (фотодиодов) перекрывающих диапазон длин волн от 2.7 до 6.0 мкм, с максимумами на длинах волн: 2.7, 3.0, 3.4, 3.8, 4.2, 4.7, 5.5 мкм;

В рамках участия в 7-ой рамочной программе ЕС было разработано и запущено в производство семейство светодиодов с микроиммерсионными линзами на основе халькогенидного стекла, излучающими на длинах волн от 3.0 до 4.7 мкм для использования в миниатюрных сенсорах углекислого и природного газов;

В рамках программы “ЭКСПОРТ-2013” разработаны инфракрасные датчики (3-5 мкм) на основе свето- и фотодиодов для газового анализа и низкотемпературной пирометрии, и в частности, разработано и запущено в мелкосерийное производство семейство иммерсионных двухволновых фотоприемников на базе которых разработаны быстродействующиие двухспектральные фотометрические инфракрасные сенсоры для низкотемпературной пирометрии.

В рамках программы ФЦП (2014-2016 гг.) созданы экспериментальные образцы многоэлементных фотодиодов размерностью 8×8, 64×1, 64×8, работающие в диапазоне длин волн 3-4 и 3-5 мкм в интервале температур 150-350 К.

В настоящее время, в компании работают около 10 человек, включая 3 к.ф-м.н. и 1 д.ф.-м.н.